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來(lái)源：http://www.gdsurveystar.com 作者：zhaoxiandz 2024年09月26
FCX3M02500018Y3G Fuji晶振 FCX-3M 3225 25M 18PF -40+85
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)與局限性及其相位雜訊和抖動(dòng)的優(yōu)化
隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步,對(duì)頻率源的靈活性和性能要求也越來(lái)越高.可程式設(shè)計(jì)振蕩器作為一種能夠通過(guò)程式設(shè)計(jì)設(shè)定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各種需要靈活頻率配置的電子設(shè)備中.本文將探討可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化方面的關(guān)鍵技術(shù).
一、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)
可程式設(shè)計(jì)進(jìn)口晶振振蕩器具有許多顯著特點(diǎn),使其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中備受青睞.首先,頻率可程式設(shè)計(jì)是其最核心的特點(diǎn),通過(guò)數(shù)位介面（如I²C、SPI等）進(jìn)行程式設(shè)計(jì),可調(diào)范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設(shè)計(jì)者能夠根據(jù)實(shí)際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設(shè)計(jì)的靈活性和適應(yīng)性.
此外,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出（如CMOS）和差分輸出（如LVPECL、LVDS）.這種多功能性使得它們能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,減少了對(duì)外部元件的需求,提高了電路設(shè)計(jì)的集成度.
智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
二、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)在于其設(shè)計(jì)靈活性、簡(jiǎn)化的庫(kù)存管理以及快速的原型設(shè)計(jì)能力.在產(chǎn)品開發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時(shí)使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器能夠減少設(shè)計(jì)變更帶來(lái)的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行程式設(shè)計(jì)調(diào)整,從而加快開發(fā)進(jìn)程.由於單一器件可以覆蓋多個(gè)頻率范圍,設(shè)計(jì)者無(wú)需為不同頻率準(zhǔn)備多種石英晶振晶體振蕩器,簡(jiǎn)化了庫(kù)存管理,降低了供應(yīng)鏈的復(fù)雜性.
在實(shí)際應(yīng)用中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點(diǎn),這得益于其高集成度設(shè)計(jì).這使得它們非常適用于便攜式設(shè)備等對(duì)空間和能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景.
三、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的局限性
盡管可程式設(shè)計(jì)振蕩器有許多優(yōu)點(diǎn),但它們?cè)谀承┓矫嫒源嬖诰窒扌?首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設(shè)計(jì)石英晶體振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應(yīng)用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率晶體振蕩器.此外,相較于專用的高精度溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）,可程式設(shè)計(jì)振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是程式設(shè)計(jì)復(fù)雜性.使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常需要特定的軟體和程式設(shè)計(jì)工具,這在多頻率配置時(shí)可能會(huì)增加使用的復(fù)雜性.而且,盡管整體庫(kù)存管理成本可能降低,但單個(gè)可程式設(shè)計(jì)振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
四、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,相位雜訊和抖動(dòng)是評(píng)估振蕩器性能的重要指標(biāo).為了實(shí)現(xiàn)低相位雜訊和低抖動(dòng),可程式設(shè)計(jì)振蕩器采用了多種先進(jìn)技術(shù)和優(yōu)化設(shè)計(jì).
1.高品質(zhì)的基準(zhǔn)振蕩器
可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常使用高品質(zhì)晶體振蕩器（XO）作為基準(zhǔn)振蕩器,這些晶體具有極低的本底雜訊和高頻率穩(wěn)定性,從根本上降低了相位雜訊的基礎(chǔ)水準(zhǔn).此外,一些可程式設(shè)計(jì)振蕩器集成了溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償功能（TCXO）,進(jìn)一步提高頻率的穩(wěn)定性,減少因溫度變化引起的相位雜訊和抖動(dòng).
2.低雜訊頻率合成器
可程式設(shè)計(jì)振蕩器通過(guò)低雜訊的鎖相環(huán)（PLL）電路來(lái)生成目標(biāo)頻率.現(xiàn)代PLL設(shè)計(jì)采用優(yōu)化的環(huán)路濾波器和高性能的壓控振蕩器（VCO）,能夠顯著降低相位雜訊.分?jǐn)?shù)-NPLL技術(shù)在高頻率合成時(shí)表現(xiàn)尤為出色,通過(guò)精確合成頻率來(lái)減少相位雜訊.此外,多級(jí)PLL結(jié)構(gòu)通過(guò)逐級(jí)減少雜訊,進(jìn)一步優(yōu)化了振蕩器的相位雜訊和抖動(dòng)性能.
3.低雜訊電源管理
為減少電源雜訊對(duì)振蕩器性能的影響,可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常采用低雜訊電源調(diào)節(jié)器和濾波器,并通過(guò)分離電源域來(lái)避免電源雜訊的串?dāng)_.這些措施顯著改善了振蕩器的整體性能,確保輸出信號(hào)的純凈性.
智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
4.先進(jìn)的封裝技術(shù)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器采用低寄生參數(shù)的封裝技術(shù),減少了封裝引入的寄生電感和電容,這些寄生效應(yīng)會(huì)增加相位雜訊和抖動(dòng).為了應(yīng)對(duì)溫度變化帶來(lái)的影響,一些高端可程式設(shè)計(jì)振蕩器還在封裝內(nèi)集成了溫度管理技術(shù),確保工作溫度的穩(wěn)定性,從而進(jìn)一步降低相位雜訊.
5.數(shù)位校準(zhǔn)與補(bǔ)償
在制造過(guò)程中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器使用數(shù)位校準(zhǔn)技術(shù)微調(diào)頻率,確保輸出頻率的高精度,從而降低相位雜訊.此外,內(nèi)置的即時(shí)補(bǔ)償電路能夠根據(jù)外部條件的變化動(dòng)態(tài)調(diào)整振蕩器參數(shù),確保在各種環(huán)境下都能保持低相位雜訊和低抖動(dòng).
6.優(yōu)化的PCB設(shè)計(jì)
PCB布局的優(yōu)化也是降低相位雜訊和抖動(dòng)的關(guān)鍵因素.通過(guò)將敏感信號(hào)路徑最小化、使用低雜訊地平面、優(yōu)化信號(hào)回路等方法,可進(jìn)一步減少外部環(huán)境對(duì)KDS晶振振蕩器性能的影響.
7.濾波與信號(hào)調(diào)理
可程式設(shè)計(jì)振蕩器在輸出端增加了濾波電路,以抑制高頻雜訊和電磁干擾,從而降低抖動(dòng).同時(shí),采用差分輸出（如LVPECL、LVDS）可以有效抑制共模雜訊,進(jìn)一步優(yōu)化輸出信號(hào)品質(zhì).
可程式設(shè)計(jì)振蕩器以其靈活的頻率配置、設(shè)計(jì)便捷性和集成度高的特點(diǎn),在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中占據(jù)了重要地位.盡管在某些高性能應(yīng)用中存在相位雜訊和溫度穩(wěn)定性方面的局限,但通過(guò)先進(jìn)的頻率合成技術(shù)、低雜訊電源管理、優(yōu)化封裝及PCB設(shè)計(jì)等一系列優(yōu)化措施,可程式設(shè)計(jì)振蕩器已經(jīng)能夠在保持靈活性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)低相位雜訊和低抖動(dòng)的性能.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,可程式設(shè)計(jì)振蕩器將在更多領(lǐng)域展現(xiàn)其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),為聲表面諧振器電子設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的可能性.智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)與局限性及其相位雜訊和抖動(dòng)的優(yōu)化
隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步,對(duì)頻率源的靈活性和性能要求也越來(lái)越高.可程式設(shè)計(jì)振蕩器作為一種能夠通過(guò)程式設(shè)計(jì)設(shè)定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各種需要靈活頻率配置的電子設(shè)備中.本文將探討可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化方面的關(guān)鍵技術(shù).
一、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)
可程式設(shè)計(jì)進(jìn)口晶振振蕩器具有許多顯著特點(diǎn),使其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中備受青睞.首先,頻率可程式設(shè)計(jì)是其最核心的特點(diǎn),通過(guò)數(shù)位介面（如I²C、SPI等）進(jìn)行程式設(shè)計(jì),可調(diào)范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設(shè)計(jì)者能夠根據(jù)實(shí)際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設(shè)計(jì)的靈活性和適應(yīng)性.
此外,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出（如CMOS）和差分輸出（如LVPECL、LVDS）.這種多功能性使得它們能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,減少了對(duì)外部元件的需求,提高了電路設(shè)計(jì)的集成度.
智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
二、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)在于其設(shè)計(jì)靈活性、簡(jiǎn)化的庫(kù)存管理以及快速的原型設(shè)計(jì)能力.在產(chǎn)品開發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時(shí)使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器能夠減少設(shè)計(jì)變更帶來(lái)的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行程式設(shè)計(jì)調(diào)整,從而加快開發(fā)進(jìn)程.由於單一器件可以覆蓋多個(gè)頻率范圍,設(shè)計(jì)者無(wú)需為不同頻率準(zhǔn)備多種石英晶振晶體振蕩器,簡(jiǎn)化了庫(kù)存管理,降低了供應(yīng)鏈的復(fù)雜性.
在實(shí)際應(yīng)用中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點(diǎn),這得益于其高集成度設(shè)計(jì).這使得它們非常適用于便攜式設(shè)備等對(duì)空間和能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景.
三、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的局限性
盡管可程式設(shè)計(jì)振蕩器有許多優(yōu)點(diǎn),但它們?cè)谀承┓矫嫒源嬖诰窒扌?首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設(shè)計(jì)石英晶體振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應(yīng)用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率晶體振蕩器.此外,相較于專用的高精度溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）,可程式設(shè)計(jì)振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是程式設(shè)計(jì)復(fù)雜性.使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常需要特定的軟體和程式設(shè)計(jì)工具,這在多頻率配置時(shí)可能會(huì)增加使用的復(fù)雜性.而且,盡管整體庫(kù)存管理成本可能降低,但單個(gè)可程式設(shè)計(jì)振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
四、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,相位雜訊和抖動(dòng)是評(píng)估振蕩器性能的重要指標(biāo).為了實(shí)現(xiàn)低相位雜訊和低抖動(dòng),可程式設(shè)計(jì)振蕩器采用了多種先進(jìn)技術(shù)和優(yōu)化設(shè)計(jì).
1.高品質(zhì)的基準(zhǔn)振蕩器
可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常使用高品質(zhì)晶體振蕩器（XO）作為基準(zhǔn)振蕩器,這些晶體具有極低的本底雜訊和高頻率穩(wěn)定性,從根本上降低了相位雜訊的基礎(chǔ)水準(zhǔn).此外,一些可程式設(shè)計(jì)振蕩器集成了溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償功能（TCXO）,進(jìn)一步提高頻率的穩(wěn)定性,減少因溫度變化引起的相位雜訊和抖動(dòng).
2.低雜訊頻率合成器
可程式設(shè)計(jì)振蕩器通過(guò)低雜訊的鎖相環(huán)（PLL）電路來(lái)生成目標(biāo)頻率.現(xiàn)代PLL設(shè)計(jì)采用優(yōu)化的環(huán)路濾波器和高性能的壓控振蕩器（VCO）,能夠顯著降低相位雜訊.分?jǐn)?shù)-NPLL技術(shù)在高頻率合成時(shí)表現(xiàn)尤為出色,通過(guò)精確合成頻率來(lái)減少相位雜訊.此外,多級(jí)PLL結(jié)構(gòu)通過(guò)逐級(jí)減少雜訊,進(jìn)一步優(yōu)化了振蕩器的相位雜訊和抖動(dòng)性能.
3.低雜訊電源管理
為減少電源雜訊對(duì)振蕩器性能的影響,可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常采用低雜訊電源調(diào)節(jié)器和濾波器,并通過(guò)分離電源域來(lái)避免電源雜訊的串?dāng)_.這些措施顯著改善了振蕩器的整體性能,確保輸出信號(hào)的純凈性.
智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
4.先進(jìn)的封裝技術(shù)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器采用低寄生參數(shù)的封裝技術(shù),減少了封裝引入的寄生電感和電容,這些寄生效應(yīng)會(huì)增加相位雜訊和抖動(dòng).為了應(yīng)對(duì)溫度變化帶來(lái)的影響,一些高端可程式設(shè)計(jì)振蕩器還在封裝內(nèi)集成了溫度管理技術(shù),確保工作溫度的穩(wěn)定性,從而進(jìn)一步降低相位雜訊.
5.數(shù)位校準(zhǔn)與補(bǔ)償
在制造過(guò)程中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器使用數(shù)位校準(zhǔn)技術(shù)微調(diào)頻率,確保輸出頻率的高精度,從而降低相位雜訊.此外,內(nèi)置的即時(shí)補(bǔ)償電路能夠根據(jù)外部條件的變化動(dòng)態(tài)調(diào)整振蕩器參數(shù),確保在各種環(huán)境下都能保持低相位雜訊和低抖動(dòng).
6.優(yōu)化的PCB設(shè)計(jì)
PCB布局的優(yōu)化也是降低相位雜訊和抖動(dòng)的關(guān)鍵因素.通過(guò)將敏感信號(hào)路徑最小化、使用低雜訊地平面、優(yōu)化信號(hào)回路等方法,可進(jìn)一步減少外部環(huán)境對(duì)KDS晶振振蕩器性能的影響.
7.濾波與信號(hào)調(diào)理
可程式設(shè)計(jì)振蕩器在輸出端增加了濾波電路,以抑制高頻雜訊和電磁干擾,從而降低抖動(dòng).同時(shí),采用差分輸出（如LVPECL、LVDS）可以有效抑制共模雜訊,進(jìn)一步優(yōu)化輸出信號(hào)品質(zhì).
可程式設(shè)計(jì)振蕩器以其靈活的頻率配置、設(shè)計(jì)便捷性和集成度高的特點(diǎn),在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中占據(jù)了重要地位.盡管在某些高性能應(yīng)用中存在相位雜訊和溫度穩(wěn)定性方面的局限,但通過(guò)先進(jìn)的頻率合成技術(shù)、低雜訊電源管理、優(yōu)化封裝及PCB設(shè)計(jì)等一系列優(yōu)化措施,可程式設(shè)計(jì)振蕩器已經(jīng)能夠在保持靈活性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)低相位雜訊和低抖動(dòng)的性能.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,可程式設(shè)計(jì)振蕩器將在更多領(lǐng)域展現(xiàn)其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),為聲表面諧振器電子設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的可能性.智能手機(jī)晶振,日本Fuji晶振,FCX-3M晶振
| 晶振原廠編碼 | 生產(chǎn)商 | 參數(shù) | 型號(hào) | 工作溫度 | 尺寸 |
| FCX3M01500008Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 15.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M02266006U1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 22.660MHZ 6PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M02457618E5J | Fuji晶振 | CRYSTAL 24.576MHZ 18PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M02200006U1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 22.000MHZ 6PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M03900008Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 39.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M01843208E1D | Fuji晶振 | CRYSTAL 18.432MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M01382408Y3G | Fuji晶振 | CRYSTAL 13.824MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M01928004Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 19.280MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M02500018Y3G | Fuji晶振 | CRYSTAL 25.000MHZ 18PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M02457608Y3G | Fuji晶振 | CRYSTAL 24.576MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3G01431810Y3J | Fuji晶振 | CRYSTAL 14.31818MHZ 10PF SMD | FCX-3G | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M02492304I1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 24.9231MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 125°C | 3225 |
| FCX3M01300008Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 13.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M01300008E3D | Fuji晶振 | CRYSTAL 13.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M03900008Y3G | Fuji晶振 | CRYSTAL 39.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M02266007I3L | Fuji晶振 | CRYSTAL 22.660MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 125°C | 3225 |
| FCX3M01340007I1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 13.400MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 125°C | 3225 |
| FCX3M02700008U1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 27.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M04400007U3L | Fuji晶振 | CRYSTAL 44.000MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M04400007Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 44.000MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M01968704E1D | Fuji晶振 | CRYSTAL 19.6875MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M04915204E3D | Fuji晶振 | CRYSTAL 49.152MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M04400007U1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 44.000MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M02200006E3D | Fuji晶振 | CRYSTAL 22.000MHZ 6PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
| FCX3M02266007I1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 22.660MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 125°C | 3225 |
| FCX3M02700012Y1G | Fuji晶振 | CRYSTAL 27.000MHZ 12PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M01356006U3L | Fuji晶振 | CRYSTAL 13.560MHZ 6PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M01843208I1L | Fuji晶振 | CRYSTAL 18.432MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 125°C | 3225 |
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| FCX3M03900008U3L | Fuji晶振 | CRYSTAL 39.000MHZ 8PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M01431804U3L | Fuji晶振 | CRYSTAL 14.3182MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 105°C | 3225 |
| FCX3M01500007Y3G | Fuji晶振 | CRYSTAL 15.000MHZ 7PF SMD | FCX-3M | -40°C ~ 85°C | 3225 |
| FCX3M04000004E3D | Fuji晶振 | CRYSTAL 40.000MHZ 4PF SMD | FCX-3M | -20°C ~ 70°C | 3225 |
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