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來(lái)源:http://www.gdsurveystar.com 作者:zhaoxiandz 2024年10月23
FCO3C012000A3CCU00 3225 12MHZ XO CMOS 1.8-3.3V 20PP -40+105富士Fuji晶振
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)與局限性及其相位雜訊和抖動(dòng)的優(yōu)化
隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步,進(jìn)口晶振對(duì)頻率源的靈活性和性能要求也越來(lái)越高.可程式設(shè)計(jì)振蕩器作為一種能夠通過(guò)程式設(shè)計(jì)設(shè)定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各種需要靈活頻率配置的電子設(shè)備中.本文將探討可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化方面的關(guān)鍵技術(shù).
車(chē)規(guī)級(jí)別晶振,耐高溫汽車(chē)晶振,有源差分晶振
一、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器具有許多顯著特點(diǎn),使其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中備受青睞.首先,頻率可程式設(shè)計(jì)是其最核心的特點(diǎn),通過(guò)數(shù)位介面(如I²C、SPI等)進(jìn)行程式設(shè)計(jì),可調(diào)范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設(shè)計(jì)者能夠根據(jù)實(shí)際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設(shè)計(jì)的靈活性和適應(yīng)性.
此外,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出(如CMOS)和LVDS差分晶振輸出(如LVPECL、LVDS).這種多功能性使得它們能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,減少了對(duì)外部元件的需求,提高了電路設(shè)計(jì)的集成度.
二、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)在于其設(shè)計(jì)靈活性、簡(jiǎn)化的庫(kù)存管理以及快速的原型設(shè)計(jì)能力.在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時(shí)使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器能夠減少設(shè)計(jì)變更帶來(lái)的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行程式設(shè)計(jì)調(diào)整,從而加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程.由於單一器件可以覆蓋多個(gè)頻率范圍,設(shè)計(jì)者無(wú)需為不同頻率準(zhǔn)備多種石英晶振晶體振蕩器,簡(jiǎn)化了庫(kù)存管理,降低了供應(yīng)鏈的復(fù)雜性.
在實(shí)際應(yīng)用中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點(diǎn),這得益于其高集成度設(shè)計(jì).這使得它們非常適用于便攜式設(shè)備等對(duì)空間和能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景.
三、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的局限性
盡管可程式設(shè)計(jì)振蕩器有許多優(yōu)點(diǎn),但它們?cè)谀承┓矫嫒源嬖诰窒扌?首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設(shè)計(jì)振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應(yīng)用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率石英晶體振蕩器.此外,相較于專(zhuān)用的高精度溫補(bǔ)晶振晶體振蕩器(TCXO),可程式設(shè)計(jì)振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是程式設(shè)計(jì)復(fù)雜性.使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常需要特定的軟體和程式設(shè)計(jì)工具,這在多頻率配置時(shí)可能會(huì)增加使用的復(fù)雜性.而且,盡管整體庫(kù)存管理成本可能降低,但單個(gè)可程式設(shè)計(jì)振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.
車(chē)規(guī)級(jí)別晶振,耐高溫汽車(chē)晶振,有源差分晶振
車(chē)規(guī)級(jí)別晶振,耐高溫汽車(chē)晶振,有源差分晶振
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)與局限性及其相位雜訊和抖動(dòng)的優(yōu)化
隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步,進(jìn)口晶振對(duì)頻率源的靈活性和性能要求也越來(lái)越高.可程式設(shè)計(jì)振蕩器作為一種能夠通過(guò)程式設(shè)計(jì)設(shè)定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各種需要靈活頻率配置的電子設(shè)備中.本文將探討可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動(dòng)優(yōu)化方面的關(guān)鍵技術(shù).
車(chē)規(guī)級(jí)別晶振,耐高溫汽車(chē)晶振,有源差分晶振
一、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的特點(diǎn)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器具有許多顯著特點(diǎn),使其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中備受青睞.首先,頻率可程式設(shè)計(jì)是其最核心的特點(diǎn),通過(guò)數(shù)位介面(如I²C、SPI等)進(jìn)行程式設(shè)計(jì),可調(diào)范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設(shè)計(jì)者能夠根據(jù)實(shí)際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設(shè)計(jì)的靈活性和適應(yīng)性.
此外,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出(如CMOS)和LVDS差分晶振輸出(如LVPECL、LVDS).這種多功能性使得它們能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景,減少了對(duì)外部元件的需求,提高了電路設(shè)計(jì)的集成度.
二、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)
可程式設(shè)計(jì)振蕩器的優(yōu)勢(shì)在于其設(shè)計(jì)靈活性、簡(jiǎn)化的庫(kù)存管理以及快速的原型設(shè)計(jì)能力.在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時(shí)使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器能夠減少設(shè)計(jì)變更帶來(lái)的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行程式設(shè)計(jì)調(diào)整,從而加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程.由於單一器件可以覆蓋多個(gè)頻率范圍,設(shè)計(jì)者無(wú)需為不同頻率準(zhǔn)備多種石英晶振晶體振蕩器,簡(jiǎn)化了庫(kù)存管理,降低了供應(yīng)鏈的復(fù)雜性.
在實(shí)際應(yīng)用中,可程式設(shè)計(jì)振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點(diǎn),這得益于其高集成度設(shè)計(jì).這使得它們非常適用于便攜式設(shè)備等對(duì)空間和能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景.
三、可程式設(shè)計(jì)振蕩器的局限性
盡管可程式設(shè)計(jì)振蕩器有許多優(yōu)點(diǎn),但它們?cè)谀承┓矫嫒源嬖诰窒扌?首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設(shè)計(jì)振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應(yīng)用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率石英晶體振蕩器.此外,相較于專(zhuān)用的高精度溫補(bǔ)晶振晶體振蕩器(TCXO),可程式設(shè)計(jì)振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是程式設(shè)計(jì)復(fù)雜性.使用可程式設(shè)計(jì)振蕩器通常需要特定的軟體和程式設(shè)計(jì)工具,這在多頻率配置時(shí)可能會(huì)增加使用的復(fù)雜性.而且,盡管整體庫(kù)存管理成本可能降低,但單個(gè)可程式設(shè)計(jì)振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.
車(chē)規(guī)級(jí)別晶振,耐高溫汽車(chē)晶振,有源差分晶振
晶振編碼型號(hào)編號(hào) | 型號(hào) | 晶振頻率 | 晶振輸出 | 晶振電壓 | 工作溫度 | 腳位 | 尺寸 | 晶振頻差 | 富士通晶振制造商 |
FCO3C013025A3CBY00 | XO | 13.02519 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C026666A3CCU00 | XO | 26.6667 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013125A3CBY00 | XO | 13.125225 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C024567A3CCU00 | XO | 24.567 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3K03276850CWD00 | XO | 32.768 kHz | CMOS | 5V | 0°C ~ 70°C | 4 | 3225 | ±25ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3K03276833CPD00 | XO | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | -10°C ~ 60°C | 4 | 3225 | ±25ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C009840A3CCU00 | XO | 9.840625 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C026637A3CCU00 | XO | 26.63716 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012444A3CCU00 | XO | 12.444444 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C023540A3CBY00 | XO | 23.54 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C019096A3CBY00 | XO | 19.0966 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C002000A3CCU00 | XO | 2 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C015437A3CBY00 | XO | 15.437823 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013513A3CFU00 | XO | 13.513 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±50ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020830A3CCU00 | XO | 20.83 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012288A3CBY00 | XO | 12.2888 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C025416A3CCU00 | XO | 25.4167 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C04490033CGE00 | XO | 44.9 MHz | CMOS | 3.3V | -20°C ~ 70°C | 4 | 3225 | ±100ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020828A3CBY00 | XO | 20.8286 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C04492818CBY00 | XO | 44.928 MHz | CMOS | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C017177A3CCU00 | XO | 17.1776 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C016667A3CCU00 | XO | 16.667 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C02948018CBY00 | XO | 29.48 MHz | CMOS | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020356A3CBY00 | XO | 20.3563 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C015384A3CCU00 | XO | 15.3842 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C044863A3CCU00 | XO | 44.8634 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C011130A3CCU00 | XO | 11.13 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014150A3CBY00 | XO | 14.15 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014368A3CCU00 | XO | 14.368 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C052224A3CBY00 | XO | 52.224 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013000A3CBY00 | XO | 13 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C028259A3CCU00 | XO | 28.2594 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020150A3CBY00 | XO | 20.15 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C044960A3CFU00 | XO | 44.96 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±50ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014145A3CBY00 | XO | 14.1456 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C016670A3CBY00 | XO | 16.67 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012000A3CBY00 | XO | 12 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
此文關(guān)鍵字: 有源晶振
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