常見問題

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Crystal時(shí)鐘元件使用過... Crystal時(shí)鐘元件使用過程中應(yīng)注意什么?為什么呢? 　　任何東西亦或者是設(shè)備,都會(huì)有一...

Crystal激勵(lì)電平真的可... Crystal激勵(lì)電平真的可以反映出晶體的性能嗎?石英晶振的性能會(huì)受什么樣的因素影響呢?...

晶振差異是怎樣看出的?... 晶振產(chǎn)品幾千上萬種,光是一個(gè)品牌就有多個(gè)料號(hào),晶振也是有些復(fù)雜性,我們?nèi)绾慰焖龠M(jìn)行區(qū)...

日本地震致Kioxia工廠停... 日本氣象廳發(fā)布的消息稱日本宮城縣附近海域20日上午發(fā)生6.1級(jí)地震,宮城縣和巖手縣等地震...

新手常遇的晶振問題IQD... 我們都知道晶振是用于保持定時(shí)精度的微型電子元器件,內(nèi)部的時(shí)鐘模塊會(huì)接收石英晶體振蕩...

S12505T-32.000-X-R安基... S12510T-38.400-X1-R石英晶體S325025T-26.000-R無源晶振S11805T-30.000-X-R石英晶體振蕩...

VTEUMLJANF-32.000000泰... OXETGLJANF-16.000000石英水晶振子TVETCHSANF-40.000000泰藝OSC晶振TYETCCSANF-32.0000...

Abracon有源晶振原廠代... ASTMHTE-48.000MHZ-ZJ-E-T3石英晶振ASTMHTA-16.000MHZ-ZR-E艾博康晶振ASTMHTE-50.000MH...

SAW濾波器為第五代移動(dòng)... 移動(dòng)通信系統(tǒng)的發(fā)射端（TX）和接收端（RS）必須經(jīng)過濾波器濾波后才能發(fā)揮作用，由于其工...

壓電陶瓷和壓電石英各自... 晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，...

一直活動(dòng)在高端科技領(lǐng)域... 隨著高端產(chǎn)品越來越受人們的追捧，高端石英晶振---溫補(bǔ)晶振更多的展現(xiàn)在人們的視野中。...

采購商的你,想要國產(chǎn)的... 晶振因?yàn)槭请娮赢a(chǎn)品中最重要的一顆晶體元器件，因此為這個(gè)行業(yè)帶來巨大的商機(jī)，吸引著眾...

首頁晶振系列有源晶振VG-4501CA,VG4502CA,愛普生網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振,壓控晶振,VG-4501CA 122.8800M-GGCT0

有源晶振VG-4501CA,VG4502CA,愛普生網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振,壓控晶振,VG-4501CA 122.8800M-GGCT0

產(chǎn)品型號(hào)：14077949
頻率：80.0MHZ~170.0MHZ
尺寸：5.0*7.0MM
產(chǎn)品介紹：愛普生有源壓控晶體振蕩器VG-4501,4502CA,“VG-4501CA 122.8800M-GGCT0”,電壓管理晶體振蕩器(VCXO),輸出:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,針對(duì)電信設(shè)備專門設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,貼片...

有源晶振VG-4501CA,VG4502CA,愛普生網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振,壓控晶振,“VG-4501CA 122.8800M-GGCT0”電壓管理晶體振蕩器(VCXO),輸出:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,針對(duì)電信設(shè)備專門設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等.六角貼片有源晶振,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

愛普生晶振參數(shù)		VG-4501CA	VG-4502CA
頻率范圍	f0	80.0MHZ~170.0MHZ	80.0MHZ~125.0MHZ
電源電壓	VCC	3.3 V~0.165 V	3.3 V ±0.165 V
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55 ℃~ +125 ℃	-55 ℃~ +125 ℃
工作溫度范圍	T_use	G: -40 to +85°C, J: -20 to +70°C, K: 0 to +70°C	G: -40 to +85°C, J: -20 to +70°C, K: 0 to +70°C
頻率公差	f_tol	+50×10^-6 Max.	+50×10^-6 Max.
電流消耗	ICC	25 mA Max. (f0≦125MHz) 35 mA Max. (125 MHz＜f0)	25 mA Max.
絕對(duì)拉* 1	APR	G: ±50 × 10-6Min. (80 MHz≦f0≦170MHz) H: ±100 × 10-6Min.(125 MHz＜f0)	H: ±100 × 10-6Min.
輸入電阻	Rin	80 kΩ Min.	80 kΩ Min.
頻率改變極性	--	斜率為正	斜率為正
對(duì)稱	SYM	45 % to 55 %	45 % to 55 %
輸出電壓	VOL	10 % VCC Max.	10 % VCC Max.
輸出負(fù)載情況	L_CMOS	15 pF Max.	15 pF Max.
輸入電壓	VIL	30 % VCC Max.	30 % VCC Max.
上升時(shí)間和下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max. (f0≦125MHz) 2 ns Max. (125 MHz＜f0)	4 ns Max.