晶振分類
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- 溫補(bǔ)晶振
- 壓控晶振
- 壓控溫補(bǔ)晶振
- 恒溫晶振
- 差分晶振
常見問題
更多>>石英水晶振子DSX840GA,日本大真空耐用晶振,石英晶體諧振器,超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,具備優(yōu)良的耐熱性,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性,適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,"1HX24576CB1C"貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
規(guī)格 | DSX630G,DSX840GA | ||||
頻率范圍 | 8~10Mhz | 10~12Mhz | 12~50Mhz | 50~80Mhz | |
負(fù)載電容 | Series, 8pF, 10pF, 12pF | Series | |||
激勵(lì)功率 | 10μW(300μW Max.) | 10μW(500μW Max.) | |||
頻率公差 | ±30×10-6, ±50×10-6,±100×10-6(at25℃) | ||||
串聯(lián)電阻 | 100Ω max | 80Ω max | 50Ω max | 70Ω max | |
頻率溫度特性 | ±30×10-6/-10~+60℃(Ref. to 25℃) | ||||
±50×10-6,/-20~+70℃(Ref. to 25℃) | |||||
±100×10-6,/-30~+85℃(Ref. to 25℃) | |||||
保存溫度范圍 | -40~+85℃ | ||||
封裝 | 1000pcs./reel (Φ180:DSX630G, Φ2500:840GA) |
日本株式會(huì)社,天津KDS作為一個(gè)最重要的環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的管理政策,通過與環(huán)境的和諧企業(yè)活動(dòng),KDS集團(tuán)將有助于創(chuàng)造社會(huì)發(fā)展得以持續(xù).晶振應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā),在該地區(qū)的所有的生產(chǎn)業(yè)務(wù),KDS集團(tuán),將促進(jìn)對(duì)全球環(huán)保事業(yè)的承諾.1,努力減少有害物質(zhì)的妥善管理,"1HX24576CB1C"為客戶提供環(huán)保產(chǎn)品. 2,對(duì)于預(yù)防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3,防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動(dòng).
Daishiku靈活地應(yīng)對(duì)不斷變化的社會(huì)需求,以市場(chǎng)為導(dǎo)向的方法的核心.我們的專家人員積極參與開發(fā)新產(chǎn)品,滿足市場(chǎng)的需求,根據(jù)他們的深刻洞察消費(fèi)者的需求."1HX24576CB1C"我們正在開發(fā)的產(chǎn)品與《紐約時(shí)報(bào)》及時(shí),從較小的移動(dòng)終端到下一代智能電網(wǎng)所代表的工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施.我們將繼續(xù)致力于從事研究和開發(fā)高質(zhì)量的石英裝置.
產(chǎn)品的可靠性可以通俗的理解為:產(chǎn)品生產(chǎn)完成后,"1HX24576CB1C"不會(huì)因常規(guī)的搬運(yùn),儲(chǔ)存而使其性能受影響,不會(huì)因客戶的焊接,清洗和封裝等各種使用條件而影響性能.產(chǎn)品的可靠性可以通過各種可靠性試驗(yàn)來衡量,目前常見的可靠性試驗(yàn)有:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn) 125℃±10℃;1000H±24H,溫度循環(huán)試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數(shù)10次.(溫度轉(zhuǎn)換約30分鐘),溫度沖擊試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數(shù)10次.(溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間5秒),恒溫恒濕試驗(yàn) TC 85±10℃ H 85% ;1000H±24H.