晶振分類
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- 壓控溫補(bǔ)晶振
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常見問題
更多>>GPS晶振DSB211SLB,KDS溫補(bǔ)晶振,大真空有源晶振,2016mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
項(xiàng)目 | TCXO |
DSB211SLB | |
出力周波數(shù) | 12.288MHZ~40.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)周波數(shù) | 16.3676/ 16.367667/ 16.368/ 16.369/ 16.8/ 26/ 33.6 MHz |
電源電壓范圍 | +1.1V~+1.4V |
電源電壓 | +1.2V |
出力電壓 | 0.8Vp-p min |
出力負(fù)荷 | 10kΩ//10pF |
周波數(shù)安定度 | ±1.5×10−6 max. |
溫度特性 |
±0.5×10−6 max./ −30℃+85℃@CDMA ±0.5×10−6 max. /−40℃+85℃@GSM |
電源電壓特性 | ±0.1×10−6 max(. VCC±5%) |
負(fù)荷變動(dòng)特性 | ±0.1×10−6 max(. 10kΩ//10pF±10%) |
起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max. |
Daishiku靈活地應(yīng)對不斷變化的社會(huì)需求,以市場為導(dǎo)向的方法的核心.我們的專家人員積極參與開發(fā)新產(chǎn)品,滿足市場的需求,根據(jù)他們的深刻洞察消費(fèi)者的需求.我們正在開發(fā)的產(chǎn)品與《紐約時(shí)報(bào)》及時(shí),從較小的移動(dòng)終端到下一代智能電網(wǎng)所代表的工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施.我們將繼續(xù)致力于從事研究和開發(fā)高質(zhì)量的石英裝置.
常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性.電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān),在測試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值,一般要求產(chǎn)品平均值是控制上限的50%左右.做制程改善時(shí)重點(diǎn)關(guān)注點(diǎn)膠與污染.芯片不良在電阻大這一不良項(xiàng)中出現(xiàn)次數(shù)會(huì)比較多,特別是新的芯片供貨商或開發(fā)新頻點(diǎn)時(shí).
DAISHINKU組有助于創(chuàng)建一個(gè)通過環(huán)境保護(hù)活動(dòng)逐步發(fā)展中社會(huì)與環(huán)境的和諧.